半导体所产生的霍尔效应和金属导体所产生的是否相同

什么是霍尔效应霍尔电势的大小与方向和哪些因素有关影响霍尔电势
　　这一现象是美国物理学家霍尔A.H.Hall，1855—1938于1879年在研究金属的导电机构时发现的。当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象便是霍尔效应。这个电势差也被叫做霍尔电势差。影响霍尔电势的因素有半导体材质。

金属电阻应变片与半导体材料的电阻应变效应有什么相同
　　只要测出电阻的变化，便可通过换算得知金属丝的应变情况。半导体应变片主要采用硅半导体的压阻效应制作而成，如果在半导体晶体上施加作用力，晶体除产生应变外，其电阻率也会发生变化。和金属电阻应变片相比，它的灵敏系数很高，可达100200，但是在温度稳定性和可重复性方面不如。

霍尔效应中金属导体中移动的只是自由电子那么半导体和载流导体和
　　是空穴，，半导体中有两种载流子，，一种是电子，一种是空穴，，电子带负点，空穴带正电，，不同的半导体载流子不同，，，，载流子说的通俗一点就是电荷传输的载体，，，金属导体中电子就是载流子

什么是霍尔效应霍尔效应具有什么规律怎样根据霍尔电势差的正负
　　这一现象称为霍尔效应.产生霍尔效应的原因：形成电流的作定向运动的带电粒子即载流子，在磁场中受到洛仑兹力的作用而产生，如果撤去磁场，或者撤去通电电流，霍尔效应也就随之消失.由于半导体材料中载流子数密度比金属材料的低得多.所以半导体能产生很强的霍尔效应.若霍尔电势差。

霍尔原件都用半导体不用导体
　　所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。一般用于电机中测定转子转速，如录像机的磁鼓，电脑中的散热风扇等；是一种基于霍尔效应的磁传感器，已发展成一个品种多样的磁传感器产品族，并已得到。

如何区分霍尔效应与磁阻效应
　　这个效应是磁阻效应。而导体上下两端会产生一个电势差，这个效应是霍尔效应。磁阻效应是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。金属或半导体的载流子在磁场中运动时，由于受到电磁场的变化产生的洛伦兹力作用，产生了磁阻效应。当导电材料处于磁场中时，导。

霍尔原件都用半导体不用导体
　　所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。一般用于电机中测定转子转速，如录像机的磁鼓，电脑中的散热风扇等；是一种基于霍尔效应的磁传感器，已发展成一个品种多样的磁传感器产品族，并已得到。

半导体用来干什么的
　　恰恰与金属导体性能相反。用它制作的电子三极管，对电子频率能产生放大和缩小的功能，常用的电子三极管有PNP型和NPN型，现代它的用途非。英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。半导体的这四个效应，jianxia霍尔效应的余绩─。

霍尔效应只适用半导体原件吗为什么判断电势高低时要用正电荷判断
　　后来曾有人利用霍尔效应制成测量磁场的磁传感器，但因金属的霍尔效应太弱而未能得到实际应用。随着半导体材料和制造工艺的发展，人们又。若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中，则在该元件中将产生电流I，元件上同时产生的霍尔电位差与电场强度E成正比，如果再。

霍尔效应实验误差分析是什么
　　结果表明：附加电场的存在不会影响所测霍尔电压和电流U—j，的线性关系，但对霍尔系数的测量有较大影响。霍尔效应是电磁效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔E.H.Hall，1855—1938于1879年在研究金属的导电机制时发现的。当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂。